半導體材料分析大廠汎銓擴大先進製程布局，將服務觸角延伸至晶片量產前的製程驗證。汎銓今（27日）宣布，攜手國家實驗研究院國家儀器科技研究中心，共同推進「類FAB產線驗證技術」，透過模擬晶圓廠製程條件，協助客戶提前找出材料與製程問題，從既有檢測分析業務切入半導體前期研發市場。

這項合作瞄準先進製程日益複雜所帶來的驗證需求。隨著極紫外光微影（EUV）、高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）及新材料導入，晶圓廠必須在正式試產前確認更多製程參數與材料特性。汎銓表示，類FAB技術可在接近實際產線的環境中模擬關鍵製程，再結合材料與結構分析，協助研發團隊提早發現問題，減少後續試產反覆調整的時間與成本。

此次擴大布局，背後已有先進光阻分析技術作為基礎。汎銓自行開發的低溫原子層沉積（ALD）覆蓋分析技術，可在金屬氧化物光阻劑（MOR）表面形成奈米級保護層，避免微細結構在分析過程中因受熱而變形，提升檢測準確度。汎銓指出，相關技術已建立專利，並曾獲全球微影設備大廠艾司摩爾（ASML）於國際光電工程學會（SPIE）論壇發表High-NA EUV技術時引用。

汎銓自2025年起運用國研院國儀中心「先進半導體材料分析技術研發平台」資源，將ALD應用由低溫延伸至高溫製程，並結合穿透式電子顯微鏡（TEM）分析，觀察奈米尺度下的材料結構變化，透過不同製程條件的模擬與分析，研發人員可進一步掌握材料反應，提高新材料及新製程的驗證效率。

汎銓擴大服務布局之際，既有分析業務也持續成長。今年9月合併營收2.65億元，年增36.71%，連續3個月改寫單月新高；第三季營收7.59億元，年增31.63%，創歷年單季新高；前三季累計營收19.73億元，年增24.38%。汎銓表示，成長主要受惠半導體與AI相關客戶委案需求增加，以及美國、日本據點接案規模擴大。

從商業模式來看，類FAB驗證技術讓汎銓有機會承接更多半導體研發工作。過去客戶委託材料分析，主要取得樣品結構及材料特性資訊；如今汎銓進一步提供製程模擬與驗證服務，可望增加單一專案的服務項目，並深化與先進製程及先進封裝客戶的合作關係。

台灣是全球先進晶圓製造及封裝的重要基地，新材料與新製程開發需要大量試驗、量測及驗證，汎銓透過國研院研發資源補強製程模擬能力，進一步爭取半導體研發服務商機，隨著服務範圍從材料分析延伸至量產前驗證，後續客戶導入進度及新業務的營收貢獻，將成為這項布局能否轉化為實際成長動能的關鍵。